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SiC 混合模塊

碳化硅(SiC)混合模塊是具有高功率密度的 IGBT 集成功率模塊。它們的開關(guān)損耗比非混合模塊更低,工作溫度也高于其他類型的半導(dǎo)體。碳化硅混合模塊可用于要求低損耗的大功率應(yīng)用。對于需要高頻開關(guān)的系統(tǒng),碳化硅混合模塊的效率更高。


IGBT&混合SIC模塊.jpg

顯示 4 個結(jié)果

  • VCES (V)
    • 650
    • 1200

    重置篩選

  • IC (A)
    • 300
    • 450
    • 600

    重置篩選

  • VCE(sat) (V)
    • 1.40
    • 1.85
    • 1.90

    重置篩選

  • RthJC (K/W)
    • 0.048
    • 0.065
    • 0.25

    重置篩選

  • Tjmax
    • 175℃

    重置篩選

  • Packages
    • GHP
    • GWB

    重置篩選

Type
VCES (V)
IC (A)
VCE(sat) (V)
RthJC (K/W)
Tjmax
Packages
篩選
  • 650
  • 1200

重置篩選

篩選
  • 300
  • 450
  • 600

重置篩選

篩選
  • 1.40
  • 1.85
  • 1.90

重置篩選

篩選
  • 0.048
  • 0.065
  • 0.25

重置篩選

篩選
  • 175℃

重置篩選

篩選
  • GHP
  • GWB

重置篩選

650 300 1.40 0.25 175℃ GHP
650 300 1.40 0.25 175℃ GHP
1200 600 1.90 0.048 175℃ GWB
1200 450 1.85 0.065 175℃ GWB
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